英特尔和美光技术公司日前宣布将其生产nand闪存的第四家晶圆制造厂的厂址定为新加坡。英特尔和micron表示该建立在新加坡德nand闪存晶圆制造厂。有望在2008年下半年投产，预期在2007年上半年破土动工。
英特尔和美光的合资公司im flash technologies自2006年1月成立以来，在弗吉尼亚州马纳萨斯及犹他州lehi的300毫米制造厂已上线，另一套安装中的300mm晶圆制造厂也将于2007年初投产。该公司目前通过美光在博伊西的工厂提供nand闪存。2007年初imft自己的工厂也将在犹他州落成，并将作为其公司总部。
英特尔闪存小组的总经理表示：“我们十分高兴在如此短的时间内im flash technologies所取得的进展，使我们处于nand市场未来的增长地位上。通过执行我们每年扩张一个300mm晶圆制造厂的战略，我们完全可以期望成为nand闪存领域顶尖制造商中的一员。”
据悉，在此之前美光就有在新加坡建立合资工厂的经历，该公司已与惠普、佳能及新加坡经济管理委员会成立了一家合资公司以生产dram。
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